Wolfspeed SiC助力实现太阳能基础设施转型

来源：上海五星体育手机免费直播    发布时间：2024-11-01 13:15:59

  如今，世界各地的人们慢慢的变多地尽可能选择可再次生产的能源。各类消费者和大大小小的企业都将太阳能视为一种可行、清洁、便利的能源形式。无论是安装在空间紧凑的住宅屋顶，还是安装在商业楼宇之上，利用光伏板收集太阳能都可谓一种可扩展的可再生方法。

  收集太阳能并将其转换成标准的交流电网电压涉及多级转换，而每级转换都会遭受一些损耗。能量转换损耗表现的形式多种多样（如废热和电压降低），但无论何种形式，都会共同导致转换效率低下，造成得到的比投入的要少。

  设计一种高效的能量转换架构就变得特别的重要。如果要降低损耗，就需要进一步探索损耗发生的位置，包括导体的I2R损耗、半导体导通损耗以及发生在相关无源元件中的损耗。通常，能量损耗致使产生热量，这些热量需要借助散热器或强制风冷装置予以消散，而这会增加额外的重量和成本，并会扩大整体的占用空间。此外，在高温下操作电子元件会降低系统的可靠性，进而导致代价不菲的停机时间和潜在的收入损失。

  在这一领域，硅基半导体从一开始就占据了主导地位，但对更紧凑、更高效、更低成本功率转换的需求推动了对新型半导体技术的研究。与硅相比，碳化硅 (SiC) 等宽禁带材料可在更高开关频率及更高电压下工作，并且具有更宽泛的工作时候的温度范围，可实现体积更小、更紧凑的设计，并可提高系统级的功率密度。

  在太阳能和储能系统所用的逆变器中，硅基绝缘栅双极晶体管IGBT) 历来都被用作大功率开关晶体管。但 Wolfspeed 的 650 V 和 1200 V SiCMOSFET和相关的 SiC二极管可提供显著优势，包括将系统损耗降低 70%、将重量减轻 80%（对于 60 kW 逆变器）、将系统成本削减高达 15%。此外，Wolfspeed 的 SiC MOSFET 具有在温度范围内业界领先的 Rds(on) 特性，以及与硅基同种类型的产品相比，降低 30% 的峰值反向恢复电流。

  图 1 显示的是 60 kW 太阳能逆变器和储能系统的高级架构。800 Vout MPPT 升压电路、400 VAC三相逆变器和 400 V 电池充电器/储能系统 (ESS) 这三个功能级需要开关半导体。与 IGBT 相比，采用Wolfspeed 的 SiC MOSFET 和 SiC 二极管相结合的方法，可使整体系统效率提高 3%，等效于降低 70% 的系统损耗。

  图 2 详细说明了每个级在效率、功率密度和功耗降低方面的获益。此例中，Wolfspeed 的 SiC MOSFET 的工作频率为 45kHz 或更高，相比之下，IGBT 的工作频率为 16 kHz。

  图 2：Wolfspeed 的全 SiC、混合型 SiC 和仅硅基方式 在效率、功率密度和损耗方面的比较

  与 IGBT 相比，Wolfspeed 的 SiC MOSFET（如图 2 中 30 kW 升压电路部分所使用的 C3M0040120K 1200 V 器件）可在高得多的开关频率下工作，使得能够正常的使用体积更小的电感器电容元件，从而进一步有助于减少逆变器的占用空间。作为 SiC MOSFET 的补充，Wolfspeed 的 SiC 二极管（例如 C4D30120H 1200 V肖特基二极管）提供了高效的配对组合。

  与基于 IGBT 的装置相比，使用 Wolfspeed 的 SiC MOSFET 和 SiC 二极管设计的逆变器重量可减轻多达 80%。例如，一个 60 kW IGBT 逆变器重 173 kg（约 380.6 磅），而基于 Wolfspeed 碳化硅的逆变器重 33 kg（约 72.6 磅）。由于安装 IGBT 系统要起重机和多名人员，因此，这种重量减轻可在装配过程中带来显著优势。重量减轻使得安装和调试 SiC 逆变器所需的人员更少，总体实施成本降低，装配过程的效率也大大提高。

  将 Wolfspeed 的 SiC MOSFET 用于三相 60 kW 太阳能逆变器所获得的益处，同样适用于户用太阳能装置使用的小型单相逆变器。对于户用逆变器，SiC 简化了逆变器的设计，而且得益于 Wolfspeed SiC MOSFET 的恢复损耗属性减少，损耗可降低 80% 以上。

  图 4 显示的是单相 7 kW 户用逆变器的上限功率点跟踪 (MPPT) 升压转换器级和逆变器级。对于所有太阳能逆变器设计而言，升压功能都是一个关键方面，是因为随着天气条件的变化，电池板的输入电压在白天会有很大变化。通过将逆变器的输入电压提升到一致的 400 V，系统可更高效地运行，逆变器也会提供较为可靠的 220 VAC 输出。Heric 拓扑逆变器采用四个 Wolfspeed C3M0045065K 650 V SiC MOSFET，与采用 IGBT 器件相比，可将损耗降低 17%。升压功能采用 Wolfspeed C6D16065D 650 V SiC 肖特基二极管。与其他硅二极管相比，Wolfspeed 二极管表现出零反向恢复特性，使得可进行超快速开关操作，并且具有在温度范围内的最低正向电压降特性，以及与温度无关的开关行为。

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  逆变器功率级设计 /

  电池充电器 /

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  的挑战 /

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  系统性能的几个关键点 /

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